Технологии и инновации | Промышленность

С томской технологией полупроводниковые материалы получают нужные свойства

29 Окт '19
Химики Томского государственного университета разработали состав и технологию производства нанодисперсных металлоксидных полупроводниковых материалов. В процессе синтеза им задают необходимые свойства, например, способность поглощать или отражать ИК-излучение. Изобретение ученых может применяться в самых разных областях – для повышения КПД солнечных батарей, защиты космических аппаратов от перегрева, производства экранов смартфонов, планшетов и других гаджетов.

Новые материалы, созданные в Сибирском физико-техническом институте (СФТИ) ТГУ, – это сложные оксидные системы на основе индия и олова. Сообщается, что в процессе синтеза в их состав вводятся элементы, повышающие концентрацию свободных носителей заряда, что позволяет задавать материалу желаемые свойства.

Например, можно варьировать уровень поглощения и отражения электромагнитного излучения в заданном диапазоне длин волн. Селективные покрытия, выполненные на основе нанодисперсных полупроводниковых материалов, могут использоваться в самолето- и судостроении, космической и гелиотехнике для поддержания нужного теплового режима объекта и защиты его приборов от перегрева.

Наряду с этим технология синтеза дисперсных полупроводниковых материалов, разработанная в Томске, дает возможность наладить в России промышленный выпуск мишеней для магнетронного распыления. Ведущие мировые производители электроники используют их при производстве тонкопленочных прозрачных проводящих покрытий для экранов телевизоров, планшетов, смартфонов и т. д. Сейчас РФ закупает мишени у Японии и Кореи по высокой цене. Стоимость российских аналогов может быть существенно ниже.

Для достижения однородной структуры мишени зарубежные производители смешивают оксиды, на протяжении пяти часов измельчают их во влажной среде с последующей сушкой, гранулированием для выделения фракции мелких частиц с диаметром от 0,1 до нескольких мкм. Полученную смесь подвергают предварительной формовке и прессованию с последующим спеканием при температурах от 1200 до 1500 градусов Цельсия в течение 10 часов. Ученые ТГУ использовали для синтеза мелкодисперсной смеси оксидов золь-гель-метод и сразу получили наночастицы нужного размера. Это сэкономило время, силы и деньги, а значит снизило и стоимость конечного продукта.

Отличительной чертой технологии полупроводниковых материалов, разработанной химиками СФТИ, является отсутствие токсичных побочных продуктов, поэтому в случае ее промышленного применения опасность выброса вредных веществ исключена.
Опубликовать в Twitter
Написать в Facebook
Записать в LiveJournal
Показать В Моем Мире
Поделиться в Моем Круге
ПРОКОММЕНТИРОВАТЬ ЭТУ СТАТЬЮ
Найти похожее содержание

География: Томск

Теги: олово (9) / индий (4) / ТГУ (16) / полупроводниковые материалы (0) /

Последние новости: Обзоры в деталях
8 Нояб '19 | Финансы, бизнес | Технологии и инновации
25 Июль '19 | Технологии и инновации
26 Май '19 | Технологии и инновации | Финансы, бизнес
 

Обзоры в деталях

25 Дек '19
Ученые разработали собственное оригинальное решение...
8 Нояб '19
Впервые в истории российско-африканских отношений...
29 Окт '19
Поиск (Архив новостей - 19877)
Реклама
AIM_Congress
Реклама
НАТТ
Реклама
Venture_Russia_2018
Реклама
Marchmont News

Последние новости

20 Фев '20
«Многие инвесторы справедливо считают, что российские...
18 Фев '20
«СберДевайсы» разработала ТВ-приставку Okko Smart Box...
14 Фев '20
Компания «МТС» с декабря реализует на свободном рынке...

Интересные новости за неделю

18 Фев '20
«СберДевайсы» разработала ТВ-приставку Okko Smart Box...
19 Фев '20
19 Фев '20
Hack The Realty — хакатон Яндекс.Недвижимости для...