Сибирские учёные научились делать алмазные плёнки толщиной 30 нанометров — на порядок тоньше, чем производят в Европе и США, пишет сеть RusNanoNet со ссылкой на завлабораторией Института физики полупроводников (ИФП) имени Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук Владимира Попова.

Учёный пояснил, что, чем меньше толщина материала микросхемы, тем меньше возникает паразитных эффектов и помех, ниже энергозатраты, поэтому плёнка наноразмерной толщины — идеальная основа для микросхем. Например, кремниевые плёнки толщиной до одного нанометра, разработанные в ИФП СО РАН, используют организации Росатома и Роскосмоса при создании приборов радиационно-стойкой электроники; институты РАН и РАМН пользуются ими в приборах наноэлектроники и биосенсорах.

Владимир Попов уточнил, что сейчас алмазные плёнки толщиной до 300 нанометров получают в нескольких лабораториях мира, но все их бесспорные плюсы перечёркиваются так называемыми остаточными дефектами, которые образуются при отделении плёнки от кристалла.

«Мы нашли способ избежать появления дефектов на всех этапах процесса и сохранить исходную структуру синтетического кристалла, который выращивают наши коллеги из Института геологии и минералогии СО РАН», — пояснил г-н Попов.

Использование квантовых оптических эффектов в алмазных микросхемах на порядки повысит объём вычислений компьютеров. Кроме того, алмазные микросхемы могут работать при температурах до плюс 800 градусов Цельсия, что, в частности, позволило бы создавать приборы прямого контроля и регулировки работы реактивных и других двигателей.

Учёный отметил, что, когда появится технология, позволяющая делать микросхемы из самого твердого минерала на Земле, алмаз может вытеснить с рынка кремниевую микроэлектронику. Но для этого нужно вырастить кристалл с заданными свойствами, научиться отслаивать от него тончайшие плёнки и встраивать в его кристаллическую структуру другие химические элементы (легировать), чтобы повысить его низкую электропроводность.